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英飞凌将从2017年(nian)开(kai)始量产SiC MOSFET
[发布时间:2016/5/10 11:40:00]  阅读次数:1398
全球最大的功率半导体厂商英飞凌科技终于要开始量产碳化硅(SiC) MOSFET了(英文发布资料)。该公司将从2016年下半年开始面向特定用途供应样品,从2017年开始量产。英飞凌早在2001年就先于竞争对手推出了SiC二极管产品。SiC晶体管方面,现在竞争对手都在生产SiC MOSFET,而该公司目前只推出了SiC JFET。虽然英飞凌研发SiC MOSFET已有很长时间,但此次是第一次公布产品化时间。
英飞凌即将推出的SiC MOSFET是可以更大幅降低损耗的“沟道型”。导通电阻只有现在SiC MOSFET产品通常采用的“平面型”的几分之一。因此,这种元件被视作能激发SiC材料潜能的“真命元件”。

目前已推出沟道型SiC MOSFET的厂(chang)商只有(you)罗姆(mu)等少(shao)数厂(chang)商(参阅本站报道)。

在(zai)SiC MOSFET方面,英飞凌将(jiang)首先(xian)推(tui)出耐压(ya)1200V的(de)(de)(de)产品(pin)。其导通电(dian)(dian)(dian)阻为45mΩ,可以像普通的(de)(de)(de)Si IGBT一样,在(zai)栅极电(dian)(dian)(dian)压(ya)-5V、栅极电(dian)(dian)(dian)压(ya)+15V的(de)(de)(de)条件(jian)下驱(qu)动。阈(yu)值(zhi)电(dian)(dian)(dian)压(ya)为+4V。将(jiang)封装在(zai)3端子或4端子的(de)(de)(de)TO-247封装中销售,适用于光伏发电(dian)(dian)(dian)系(xi)统的(de)(de)(de)逆(ni)变器、UPS及蓄电(dian)(dian)(dian)池系(xi)统等。还将(jiang)推(tui)出模块(kuai)(kuai)产品(pin),具(ju)体就是该公(gong)司的(de)(de)(de)半桥型模块(kuai)(kuai)“Easy1B”系(xi)列。

新产品将在2016年5月10~12日(当地时间)于德国纽伦堡举行的功率元件及功率电子产品领域的世界最大规模展会“PCIM Europe 2016”上展出。

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